東京都市大学　研究者一覧

147/282

TCU Research Directory 145 総合理工半導体光物性半導体レーザーシリコンフォトニクス講 師 徐 学俊応用物理学 光工学・光量子科学所 属工学部 電気電子工学科所 属研究室ナノエレクトロニクス研究室H P─分 科細 目研究内容と目指すもの半導体集積回路内部の金属配線により、信号伝送速度の遅延や莫大な消費電力が重大な問題となってきており、それを解決すべく、シリコン(Si)基板上にモノリシックに光デバイスを集積する光配線の研究をしています。具体的には、シリコン(Si)/ゲルマニウム(Ge)などIV族半導体の結晶成長、そしてこれらの材料を用いた様々光デバイス(発光デバイス、導波路、変調器、フォトディテクター)の作製と評価の研究を行っています。先端的な実験とシミュレーション技術を使って次世代高速かつ超低消費電力光電子集積回路の創出を目指しています。1最近の研究テーマ2業績・プロジェクト・産学連携等3Xuejun Xu et al, “Waveguide-integrated microdisk light-emitting diode and photodetector based on Ge quantum dots”, Optics Express, 22(4):3902-3910, 2014 など査読付学術論文の掲載30件以上論 文2015年応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受 賞文部省私立大学戦略的研究基盤形成支援事業、総務省戦略的情報通信研究開発推進事業プロジェクト参画歪みゲルマニウム発光デバイスの研究高効率発光デバイスは光電子集積回路の実現のため最後の関門となにます。しかし、SiやGeが間接遷移型半導体であり、本質的に発光しにくい材料です。本研究では、引っ張りの結晶歪みと高濃度n型ドーピングをGeに加えることで、間接遷移から直接遷移型のバンド構造に近づけ、室温で強い発光を得る、また、通信波長帯での広い範囲で非常に高い光学利得を得ることに成功しました(図1)。この成果がGeレーザー実用化へ向けて非常に重要であります。図1 n型歪みGeの発光と利得スペクトル研究者情報

※このページを正しく表示するにはFlashPlayer9以上が必要です