研究室ガイド2011

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教 授白木 靖寛准教授講 師野平 博司澤野 憲太郎学 部 生男子17名院 生男子14名量子・ナノデバイス工学研究室【主な卒業研究テーマ】●XPSによる酸窒化膜/Si界面構造の研究●XPSによる高誘電率ゲート絶縁膜の研究●XPSによるラジカル酸化過程の研究●Ⅳ族へテロデバイスのキャリヤ輸送の解析●Ⅳ族半導体超高速電子デバイスの開発●量子ドットによるⅣ族発光デバイスの開発●フォトニック結晶による光配線技術の研究●MBEによるヘテロ超構造形成技術の研究主な就職先(2010年3月・院生含む)ソニー、ルネサステクノロジ、東芝、トヨタ自動車、デンソー、エルピーダメモリ、パイオニア、日立情報システムズ、セイコーエプソン、日立アドバンストシステム、JR東海旅客鉄道、リョービ、オーデリック、ヒロセ電機、スミダコーポレーション、CSKシステムズ先端デバイス工学コース(デバイス開発・評価グループ)半導体エレクトロニクスの革新を目指す、量子・ナノデバイスの研究と開発コンピュータや携帯電話などに使われる半導体の高速化、低消費電力化先端的、国際的な研究開発環境 STEP1:研究室の特色 STEP2:研究室をさらに詳しくシリコン、ゲルマニウムをはじめとするⅣ族半導体を用いた、量子・ナノデバイスの研究開発と評価を、総合研究所シリコンナノ科学研究センター(等々力キャンパス)と共同で進めています。分子線エピタキシャル成長技術を用いたデバイス作製、光電子分光法による半導体表面・界面状態の解析など、幅広い先端技術を駆使し、革新デバイスの創製に向けた研究を進めています。パソコンに使われるCPUやメモリなどの電子部品は、基本素子を微細化し、大規模回路に集積化する事で発展して来ましたが、寸法が100ナノメートル(1ナノメートル:10億分の1メートル)をきるあたりから、限界に近づき、新材料や新デバイスの開発が盛んに行なわれています。私たちは、新Ⅳ族半導体などの材料を用いた革新デバイスや、電気配線を光で行う光・電子融合デバイスの研究開発を進め、社会ニーズに応えています。半導体デバイスの作製、電気的、光学的な特性評価、光電子分光法やシミュレーションによる解析、評価と、個々の研究テーマは多岐にわたっています。強い目的意識と、研究に対する貪欲さがあれば、先端技術に関する幅広い知識と見識がおのずと得られます。また、シリコンナノ科学研究センター勤務のポストドクターや外国人スタッフによる直接指導など、高度で、国際的な研究環境にあります。研 究 内 容社会との接点研究室の横顔電気電子工学科50

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