研究室ガイド2015

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研究室をさらに詳しく主な卒業研究テーマ研究内容社会との接点研究室の横顔電気電子工学科シリコンやゲルマニウムを中心とする半導体を用いた、量子・ナノデバイスの研究開発を、総合研究所シリコンナノ科学研究センターと共同で進めています。①分子線エピタキシー法による量子ナノ構造結晶成長技術、②電子線リソグラフィーによるナノデバイス作製技術、③X線光電子分光法による半導体表面・界面ナノ領域の分析技術、④材料、プロセス、デバイスに関する最先端シミュレーション技術、等を総合的に開発することで、次世代の革新的半導体デバイスの創製に向けた研究を進めています。今日、パソコン、スマートフォン、家電製品、自動車など、身の回りの多くのものにエレクトロニクス、すなわち半導体集積回路(IC)が利用されており、我々の生活に半導体は欠くことのできないものとなっています。ICはこれまでに、それを構成する最小基本素子(MOSトランジスタ)の超微細化、高集積化によって発展してきましたが、近年その微細化に限界が訪れ始めており、新たな技術革新が必須となっております。私たちは、新Ⅳ族半導体などの材料を用いた高速デバイスや、電気配線を光配線に置き換える次世代光電子融合デバイス、次世代パワーデバイスの研究開発を進め、社会ニーズに応えます。結晶成長、成膜、ナノ加工、デバイス評価、結晶評価装置を中心とした非常に豊富な最先端装置を全ての学生が自由に使い、半導体デバイスに関するプロセスを一貫して行うことができます。さらに、原子、分子レベルの解析を行う第一原理計算ソフト、微細デバイスの構造・電気特性を解析する結晶塑性解析ソフト、モンテカルロソフト等の豊富な計算機資源を活用して、先端材料、プロセス、デバイスに関する詳細なシミュレーションが行えます。これら研究テーマは多岐にわたり、強い目的意識と、研究に対する貪欲さがあれば、半導体ナノデバイスの先端技術に関する幅広い知識と見識を、まさに実体験を通して身に付けることができます。●Ⅳ族半導体超高速電子デバイスの開発●量子ナノドットによる発光デバイスの開発●フォトニック結晶微小共振器による光配線技術の研究●SiC次世代パワーデバイスの開発●MBEによるヘテロナノ構造形成技術の研究●XPSによる絶縁膜/半導体界面構造の研究●第一原理計算による原子解析●結晶塑性解析によるデバイス応力・転位の解析●微細ナノデバイスシミュレーション研究内容社会との接点研究室の横顔半導体エレクトロニクスの革新を目指す、量子・ナノデバイスの研究と開発パソコンやスマートフォンなど、生活に欠かせないエレクトロニクスのこれからの発展を支えます豊富な半導体ナノ構造作製装置、ナノ構造評価装置、計算機を全ての学生が自由に使い、総合的な研究を行っています主な就職先・進学先[2014年3月・院生含む]富士通、富士ゼロックス、リコー、日本無線、荏原製作所、東京精密、キヤノン、ヤマハ、村田製作所、小糸製作所、ローム、東芝、トヨタ自動車、デンソー、パイオニア、日立システムズ、セイコーエプソン世田谷キャンパス3号館半研量子・ナノデバイス研究室教 授丸泉 琢也 ・ 野平 博司准教授講 師澤野 憲太郎徐 学俊学 部 生男子20名 ・ 女子1名院 生男子18名54

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