澤野教授は、ゲルマニウムを用いた半導体デバイスの開発に取り組んでいます。
今般、大阪大学と共同で、微小なスピン素子を用い、ゲルマニウム中のスピン流伝導におけるスピン散乱現象の詳細を明らかにしました。
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*日刊工業新聞 2017年5月17日掲載(転載承認済)
*記事見出し「ゲルマニウム内電子流れ解明 次世代半導体技術に道」
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