東京都市大学　研究者一覧

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142 TCU Research Directory総合理工光・電子デバイスゲルマニウム結晶歪み准教授 澤野 憲太郎応用物理学 結晶工学所 属工学部 電気電子工学科所 属研究室ナノエレクトロニクス研究室H Phttp://www.ee.tcu.ac.jp/labs分 科細 目研究内容と目指すものICT(情報通信技術)は今日の社会において不可欠な技術であるが、それを根底で支えているのは、 シリコン半導体集積回路(LSI)である。今後のますますの情報量増大に伴い、PCやスマホ、サーバーにおける消費電力は莫大となり、その抑制が世界的喫緊の課題と言える。その中、革新的新材料としてゲルマニウムをシリコン半導体に導入し、LSIの基本素子であるM0Sトランジスタの超高速化と、発光素子開発によるオンチップ光配線の実現により、LSIの超低消費電力化を実現し、エレクトロニクス技術の継続的な発展に貢献することを目指している。1最近の研究テーマゲルマニウムの結晶を、シリコン基板上に、原子レベルで非常にきれいに形成する技術を開発し、さらにその結晶構造を人工的に制御することで、次世代の高性能半導体デバイスの実現を目指している。2業績・プロジェクト・産学連携等3“Suppression of surface segregation of the phosphorous δ-doping layer by insertion of an ultra-thin silicon layer for ultra-shallow Ohmic contacts on n-type germanium”Applied Physics Letters(2015)“Uniaxially strained SiGe(111) and SiGe(100) grown on selectively ion-implanted substrates”Journal of Crystal Growth(2014)“Formation of Ge(111) on Insulator by Ge epitaxy on Si(111) and layer transfer”Thin Solid Films(2013)など 125件論 文応用物理学会JJAP論文奨励賞(2009)、日本磁気学会論文賞(2010)、応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞(2011)受 賞革新的ゲルマニウム・デバイスの研究【テーマ】 ・ 一軸歪みGeチャネル開発・ 歪みGe-on-Insulator基板開発 ・ Ge量子ドットおよび歪みGe発光デバイス開発 etc科研費 基盤(B)『超高移動度一軸歪みGeチャネルデバイスの開発(H26~28)』、科研費 挑戦的萌芽『歪みGe二次元正孔ガスを用いた量子ドット単正孔デバイス開発(H25~27)』、その他 科研費 若手(B) 2件(H19~20、H22)プロジェクト参画研究者情報

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