東京都市大学 研究者一覧 145/282

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TCU Research Directory 143 総合理工表面・界面分析X線光電子分光法半導体物性電子デバイス(MOSFETなど)教 授 野平 博司応用物理学 薄膜・表面界面物性所 属工学部 電気電子工学科所 属研究室ナノエレクトロニクス研究室H P─分 科細 目研究内容と目指すものより豊かでかつ持続可能な社会を実現を支える半導体デバイスの研究を行っています。SiCやGaNなどの大電力用の半導体および、Si、SiGe、Ge、InGaASなどの情報処理用の半導体、どちらでも作製される半導体デバイスの性能向上(効率や動作速度の向上)には、絶縁膜/半導体界面の特性の向上が鍵となります。そこで、X線光電子分光法を主たる評価手法として、色々な絶縁膜/半導体界面の評価を通して、次世代の高速かつ高効率の電子デバイスの実現を目指しています。1最近の研究テーマ2業績・プロジェクト・産学連携等3”Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species” Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 031302など査読付学術論文の掲載90件以上論 文応用物理学会優秀論文賞受賞(Jpn. J. Appl. Phys. 52(2013)031302)受 賞科学技術振興機構 先端計測分析技術・機器開発事業、文科省私立大学戦略的研究基盤形成支援事業、総務省 戦略的情報通信研究開発推進事業、などプロジェクト参画基盤研究C:2013年-2016年、 2010年-2013年富士電機(特定寄付金)株式会社アドバンテスト研究所(簡易受託)など外部資金SiCの金属-酸化膜-SiC電界効果トランジスタは、大電力用デバイスとして大きな期待を集めています。本研究では、高品質のSiO2/SiC界面を実現するために、その初期の酸化過程を詳細に調べ、SiCの結晶構造を反映して酸化が進行することなどを明らかにしています。図1 歪みによる結合エネルギー変化の検出富士電機などと共同研究産学連携共同研究:東京工業大学、名古屋大学、大阪大学、広島大学などと共同研究共同研究SiCの初期酸化過程の研究高効率発光デバイスや超低消費電子デバイスの実現に向けて、SiGe系を中心に研究しています。特に、約1μも空間分解能をもつSpring-8、BL47XUの光電子分光を用いて、図1に示すように、デバイス設計時必要な情報であるSiGeの価電子帯構造に歪みや組成の違いが及ぼす影響を明らかにしました。一軸歪みGeおよびSiGeの研究研究者情報

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