東京都市大学 研究者一覧 146/282

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144 TCU Research Directory総合理工シリコンフォトニクスGe発光デバイス第一原理計算デバイスシミュレーション教 授 丸泉 琢也応用物理学 光工学・光量子科学所 属総合研究所所 属研究室ナノエレクトロニクス研究センターH P─分 科細 目研究内容と目指すもの今日のユビキタス社会を支える情報通信処理技術(ICT)は、半導体(シリコン)大規模集積回路(LSI)技術と、化合物半導体レーザを用いた光通信による高速伝送技術に支えられています。シリコン系半導体を用い、近赤外波長、室温で発振するレーザが実現できると、LSIチップ内で高速・超低消費電力な信号伝送が可能となるオンチップ光配線や、電子・光融合による革新的な新機能デバイスの開発が期待されます。本研究では、材料特性により、原理的に発光効率の極めて低いゲルマニウムを用いた革新的な室温発光近赤外レーザデバイスの開発を目指しています。1Ge量子ドットを用いた発光デバイス開発最近の研究テーマ2業績・プロジェクト・産学連携等3“Waveguide-integrated microdisk light-emitting diode and photodetector based on Ge quantum dots”、Optics Express,Vol.22 No.4 pp3902-3910, 他 58編論 文「パルス核四極子共鳴装置」、「マルチイオン感応性電界効果型トランジスタ」 他 58件特 許JST「計算科学技術活用型特定研究開発推進事業(研究代表)」シリコン半導体材料、プロセス、デバイスに関する先端シミュレーションソフトウエアの開発を推進。開発プログラムは(http://www.jst.go.jp/kisoken/act-jst/FrameSaitaku.html)で公開、利用可能NEDO「バイオIT融合機器開発プロジェクト(研究代表)」ナノ粒子ESRマーカを用いたがん化初期イメージングの技術開発を統括プロジェクト参画総務省戦略的情報通信研究開発制度「究極的シリコン系発光デバイスの研究開発(代表)」ゲルマニウム(Ge)量子ドットや歪みGeを発光材料とする通信用近赤外光源の開発を推進外部資金図1 導波路と結合した室温発光デバイスSi基板上に成長したGe量子ドットは、タイプⅡ型のヘテロ構造を形成し、キャリア閉じ込め効果による発光効率の増大が期待できます。そこで、SOI基板上にGe量子ドットを形成するとともに、マイクロディスク微小共振器と組み合わせた発光デバイスを開発、さらに導波路と結合した室温発光デバイスを試作し、通信波長帯1.537μmで、Q値5100の先鋭な発光特性を実現し、夢のレーザ発振にあと一歩まで迫っています。図1 導波路と結合した室温発光デバイス研究者情報

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