澤サワノ野 憲ケンタロウ太郎教授120 TCU Research Directory 2023次世代半導体デバイスの研究半導体デバイス / 光・電子融合素子 / 結晶歪み研究テーマキーワード理工学部 電気電子通信工学科ナノエレクトロニクス研究室研究室HP研究者情報最近の研究テーマゲルマニウムの結晶を、シリコン基板上に、原子レベルで非常にきれいに形成する技術を開発し、さらにその結晶構造を人工的に制御することで、次世代の高性能半導体デバイスの実現を目指しています。 【テーマ】● 歪みGeチャネル高速デバイス開発 ● 歪みGe-on-Insulator基板開発● Ge量子ドットおよび歪みGe発光デバイス開発● GeスピンLED開発 etc研究内容と目指すものICT（情報通信技術）からAIやIoTを根底で支えるハードウェア技術は、シリコン半導体ナノテクノロジーです。今後のますますの情報量増大に伴い、PCやスマホ、サーバー、データセンターにおける消費電力は莫大となり、その抑制が世界的喫緊の課題と言えます。外部資金• 科研費 基盤研究（B）『光暗号通信へ向けたゲルマニウム円偏光LEDの創製（2019～2021）』（代表）• 科研費 挑戦的研究（萌芽）『多孔質ガラス表面上のGe量子構造創製と光電子融合素子への応用（2020～2022）』（代表）• その他その中、革新的新材料としてゲルマニウムをシリコン半導体に導入し、LSIの基本素子であるMOSトランジスタの超高速化と、発光素子開発によるオンチップ光配線の実現により、LSIの超低消費電力化を実現し、エレクトロニクス技術、すなわち情報化社会の継続的な発展に貢献することを目指しています。技術の特徴高度結晶成長技術を駆使し、高品質Si/Ge系半導体ヘテロ構造薄膜を形成します。特に結晶の歪み状態を任意に制御することで、バンドエンジニアリングを可能とし、半導体の物性を大きく変え、電子移動度や発光効率を飛躍的に増大させることができます。技術の用途高性能Si/Ge材料を利用することで、高速かつ消費電力の非常に低い光・電子デバイスをシリコン上に形成することができ、これまでのシリコンLSIのMOSFETや電気配線を、高移動度Geチャネル材料や光配線に置き換えることができます。企業等との連携可能テーマ• 高機能Si/Ge半導体薄膜の成膜• 各種半導体プロセス（電子線描画、フォトリソグラフィー、ドライエッチング、イオン注入、薄膜成膜）を利用した半導体デバイス作製と評価（PL、XRD、ラマン、ホール測定、SEM等）知的財産権・関連論文情報・著書関連論文180件以上
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