野ノヒラ平 博ヒロシ司教授①情報処理、メモリデバイス用材料の研究 ②太陽電池材料の研究 表面分析 / 界面分析 / X線光電子分光法 / 半導体（Si、SiGe、AlScNなど）研究テーマキーワード理工学部 電気電子通信工学科ナノエレクトロニクス研究室研究者情報② エネルギーデバイス：Si系やペロブスカイト系の太陽電池の界面評価の研究を行っています。③ パワーデバイス用半導体：SiC、GaN、さらには究極の半導体材料とも言われるダイヤモンドと金属や絶縁膜との界面評価などの研究を行っています。122 TCU Research Directory 2023最近の研究テーマ角度分解X線光電子分光法を主たる評価手法として、以下のような研究を行っています。① 情報処理デバイス：高効率発光デバイスや超低消費電力電子デバイスの実現に向けて、SiGe系を中心に研究しています。また、高信頼の不揮発性メモリの実現を目指して、界面ダイポール変調（IDM）メモリや強誘電性材料であるAlScN系の研究を行っています。研究内容と目指すものより豊かでかつ持続可能な社会の実現に不可欠な半導体デバイスの研究、特に界面評価の研究を行っています。Si、SiGe、InGaAsなどの情報処理用半導体やメモリ、太陽電池、さらには SiC、GaNやダイヤモンドなどの大電力用半導体などの半導体デバイスの性能向上（電力効率や動作速度の向上）には、外部資金• 基盤研究C:2015-2017年、2009年-2011年など• 基盤研究Aの共同研究者 2016年-2018年• 基盤研究Bの共同研究者 2019年-2021年絶縁膜／半導体界面の特性の向上がカギとなります。そこで、我々は、角度分解X線光電子分光法やSPring-8での電圧印加硬X線光電子分光法などを主たる評価手法として、種々の絶縁膜／半導体界面の評価を通して、次世代の高速かつ高効率の電子デバイスの実現を目指しています。産学連携• 富士電機などと共同研究技術の特徴我々の角度分解X線光電子分光（AR-XPS）技術は、固体の表面および表面近傍の界面の組成や構成元素の化学結合状態をナノスケールの深さ方向分解能で求めることができます。技術の用途固体表面および角度分解X線光電子分光法を主たる評価手法として、半導体（種々の絶縁膜／半導体界面、金属／半導体、金属／絶縁体）、その他の固体（絶縁体、半導体、導体）の表面分析を行うことができます。企業等との連携可能テーマ• 半導体／絶縁膜界面の評価、金属／半導体、金属／絶縁膜の組成や化学結合状態の深さ方向分析など• 半導体デバイスの電子帯構造評価• その他の材料の表面、界面の組成や化学結合状態分析知的財産権・関連論文情報・著書• 関連論文：Kirihara et al., Applied Physics Express 15 （2022） 111003、H. Arai and H. Nohira, Jpn. J. Appl. Phys. 55（2016）04EB04など査読付き学術論文の掲載100件以上• 応用物理学会優秀論文賞受賞 Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013）031302.
元のページ ../index.html#124