TCU　研究者一覧

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TCU Research Directory 2018 77 関連論文情報相談に応じられるテーマICT(情報通信技術)からAIやIoTを根底で支えるハードウェア技術は、シリコン半導体ナノテクノロジーである。今後のますますの情報量増大に伴い、PCやスマホ、サーバーにおける消費電力は莫大となり、その抑制が世界的喫緊の課題と言える。その中、革新的新材料としてゲルマニウムをシリコン半導体に導入し、LSIの基本素子であるMOSトランジスタの超高速化と、発光素子開発によるオンチップ光配線の実現により、LSIの超低消費電力化を実現し、エレクトロニクス技術、すなわち情報化社会の継続的な発展に貢献することを目指している。研究内容と目指すものゲルマニウムの結晶を、シリコン基板上に、原子レベルで非常にきれいに形成する技術を開発し、さらにその結晶構造を人工的に制御することで、次世代の高性能半導体デバイスの実現を目指している。　【テーマ】● 歪みGeチャネル高速デバイス開発　● 歪みGe-on-Insulator基板開発● Ge量子ドットおよび歪みGe発光デバイス開発 etc最近の研究テーマ外部資金● 基盤研究(B)『超高移動度一軸歪みGeチャネルデバイスの開発（H26～28）』、● 挑戦的萌芽『歪みGe二次元正孔ガスを用いた量子ドット単正孔デバイス開発（H25～27）』、● その他 若手研究(B) 2件（H19～20、H22）知的財産権・関連論文情報・著書● K. Sawano et al., “Light emission enhancement from Ge quantum dots with phosphorous δ-doped neighboring confinement structures”, Journal of Crystal Growth 477, 131–134 (2017) DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.03.008● K. Sawano et al., “Structural and electrical properties of Ge(111) films grown on Si(111) substrates and application to Ge(111)-on-Insulator”, Thin Solid Films 613, 24-28 (2016). DOI:10.1016/j.tsf.2015.11.020● K. Sawano et al., “Uniaxially strained SiGe(111) and SiGe(100) grown on selectively ion-implanted substrates” Journal of Crystal Growth 401, 758–761 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.02.014● 高機能Si/Ge半導体薄膜の成膜● 各種半導体プロセス（電子線描画、フォトリソグラフィー、ドライエッチング、イオン注入、薄膜成膜）を利用した半導体デバイス作製と評価（PL、XRD、ラマン、ホール測定、SEM等）キーワード澤野 憲太郎 教授サワノ　ケンタロウナノエレクトロニクス研究室所属研究室工学部 電気電子工学科デバイス・装置デバイス・装置所属半導体デバイス、光・電子融合素子、結晶歪み革新的ゲルマニウム・デバイスの研究