TCU 研究者一覧
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80 TCU Research Directory 2018相談に応じられるテーマより豊かでかつ持続可能な社会の実現に不可欠な半導体デバイスの研究、特に界面評価の研究を行っています。SiC、GaNやダイヤモンドなどの大電力用半導体およびSi、SiGe、InGaAsなどの情報処理用半導体、どちらにおいても半導体デバイスの性能向上(電力効率や動作速度の向上)には、絶縁膜/半導体界面の特性の向上がカギとなります。そこで、我々は、X線光電子分光法を主たる評価手法として、種々の絶縁膜/半導体界面の評価を通して、次世代の高速かつ高効率の電子デバイスの実現を目指しています。研究内容と目指すものSiCの金属-酸化膜-SiC電界効果トランジスタは、大電力用デバイスとして大きな期待を集めています。我々は高品質のSiO2/SiC界面を実現するために、その初期の酸化過程を詳細に調べ、SiCの結晶構造を反映して酸化が進行することなどを明らかにしています。高効率発光デバイスや超低消費電力電子デバイスの実現に向けて、SiGe系を中心に研究しています。最近の研究テーマ外部資金● 基盤研究C:2013年-2016年、2010年-2013年など● 基盤研究Aの共同研究者 2016年-2018年産学連携● 富士電機などと共同研究知的財産権・関連論文情報・著書● 半導体/絶縁膜界面の評価、金属/半導体、金属/絶縁膜の組成や化学結合状態の深さ方向分析など● 半導体デバイスの電子帯構造評価● その他の材料の表面、界面の組成や化学結合状態分析キーワード野平 博司 教 授ノヒラ ヒロシナノエレクトロニクス研究室所属研究室工学部 電気電子工学科デバイス・装置デバイス・装置所属表面分析、界面分析、X線光電子分光法、半導体SiCの初期酸化過程の研究一軸歪みGeおよびSiGeの研究● Hitoshi Arai and Hiroshi Nohira, “Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of initial stage of thermal oxidation on 4HSiC( 0001)”, Jpn.J.Appl.Phys.55(2016)04EB04など査読付き学術論文の掲載100件以上● 応用物理学会優秀論文賞受賞 (Jpn.J.Appl.Phys.52(2013)031302)関連論文情報● Y. J. Chabal(Ed.), T. Hattori, H. Nohira et al., “Fundamental Aspects of Silicon Oxidation”, Springer-Verlag Berlin Germany. (総ページ数260, pp.61-88を分担) など著書Oxide thicknessnm[]Si1+/SiC(4 off)°Si2+/SiC(4 off)°Si3+/SiC(4 off)°Si1+/SiC(on-axis)Si3+/SiC(on-axis)Si2+/SiC(on-axis)00.100.200.300.400.600.5000.20.40.60.81.01.298108106104102100Binding Energy [eV]Si face 900C° 1266minIntensity[arb.units]Si1+Si2+Si3+SiO2SiCSiOOOCSiOCOCSiOCCCSi 2p3/2IntensittyRatio[arb.units]

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